型号:SI2309DS-T1-E3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.25A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 340 毫欧 @ 1.25A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 12nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市集创讯科技有限公司 | 吴小姐0755-83244680/82865294 |
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深圳市凯鑫跃电子有限公司 | 洪小姐086-0755-83987779 |
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深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
SI2309DS-T1-E3相关型号
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Yageo
0805(2012 公制)
RES 57.6 OHM 1/8W 1% SMD 0805
- SI2309DS-T1-E3
FET - 单
Vishay Siliconix
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RES 1M OHM 1/8W 0.1% 1206
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0805(2012 公制)
RES 5.36K OHM 1/8W 1% SMD 0805
- SI2311DS-T1-GE3
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
- RW2-4805S/H2/SMD
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0805(2012 公制)
RES 137K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- MDM-37PH003L
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